北京晶格领域半导体有限公司（以下简称“晶格领域”）近日获得了北京市政府投资基金的重点投资。这一重大利好将进一步加速公司在液相法碳化硅（SiC）衬底的研发和生产进程，助力其成为国内领先的第三代半导体材料供应商。
建成中试线 推动技术突破
据悉，晶格领域已在顺义区成功建成一条液相法SiC衬底中试线，并计划于2025年初完成小规模产线建设，届时年产能将达到2.5万片SiC衬底。这条中试线涵盖了碳化硅长晶、加工及检测等完整衬底制备工艺环节，为公司的技术研发和生产能力提升奠定了坚实基础。
晶格领域中试线（图源：晶格领域）
晶格领域在液相法SiC衬底的研发过程中，充分利用液相法技术在扩径上的独特优势。液相法通过将固态原材料在高温下融化成液体，再在液体中重新结晶，能够高效生长高质量、低缺陷的碳化硅单晶。相比传统的物理气相传输法，液相法不仅晶体质量更高、缺陷更少、成品率更高，且生长速度可达500微米/小时，同时实现了“零微管”生长，极大地提升了衬底的可靠性和性能。
政策支持助力高质量发展
顺义区经信局相关负责人表示：“我们将会同属地持续支持企业进行技术创新，在政策、配套、资源等方面给予全方位支持，帮助企业用好用足市区两级政策，实实在在为企业纾困解难，不断提升营商环境，为企业高质量发展创造良好条件。”此次获得北京市政府投资基金的支持，是对晶格领域多年来坚持自主创新和发展战略的高度认可。
晶格领域通过不断的技术创新和突破，正逐步形成完整的产业链条，从碳化硅单晶的生长、加工到最终的衬底制备，覆盖了SiC衬底生产的各个环节。这不仅提升了公司的核心竞争力，也为顺义区乃至北京市的半导体产业发展注入了新的活力。
产业链完善 推动市场扩展
晶格领域计划在现有中试线的基础上，于2025年初完成小规模产线建设，年产2.5万片SiC衬底的生产能力将进一步满足市场需求。为应对未来更大规模的生产，公司已开始规划年产27万片碳化硅衬底的规模化产线布局，力争在未来几年内实现大规模量产。
此外，液相法技术的优势吸引了多家碳化硅相关厂商布局此项技术。包括设备厂商晶升股份和衬底厂商天岳先进等在内的行业领先企业，纷纷投身于液相法SiC衬底的研发与生产。晶升股份今年5月已成功研发出液相法碳化硅晶体生长设备并进入验证阶段；天岳先进则在2023年公布了全球首个8英寸碳化硅晶体，并于2024年推出了采用液相法制备的4度偏角P型碳化硅衬底，解决了高压大功率电力电子器件用P型碳化硅单晶衬底在成本、电阻率及缺陷控制等方面的技术难题。
文章来源：半导体信息
